2026年3月7日下午，中国科学院微电子研究所国家杰出青年基金获得者罗庆研究员应邀来幸运轮盘 开展学术报告，于浦口办学点一号楼310会议室作题为“铁电材料在高密度存储领域的前景与挑战”的专题讲座。报告围绕新型铪基铁电存储器的发展现状与关键挑战，系统梳理了该领域的技术演进脉络与未来发展趋势。报告由张吉良院长主持，学院多位专任教师到场参与交流。

讲座开始前，张院长向在座师生介绍了罗庆研究员的学术背景与科研成就。罗庆研究员长期致力于新型非易失存储器研究，在铪基铁电薄膜调控、铁电存储器件结构设计及可靠性机理等方面取得了系列具有国际影响力的创新成果。其以第一作者或通讯作者在Science、IEDM、VLSI等国际顶级期刊与会议发表论文50余篇，相关研究在学术界与产业界均产生了重要影响。

报告中，罗庆研究员系统介绍了新型铪基铁电材料的发展历程及其在高密度非易失存储器中的应用潜力，重点围绕当前信息技术发展背景下存储器面临的“存储墙”与“能耗墙”挑战展开深入解读。随着人工智能、大数据及边缘计算的快速发展，传统存储技术在功耗、速度与可扩展性方面逐渐逼近物理极限，而基于铪基铁电材料的新型存储器凭借其CMOS工艺兼容性、优异的尺寸可缩放性及低功耗特性，成为突破瓶颈的重要候选技术路径之一。在具体技术路线方面，报告重点分析了铁电随机存储器（FeRAM）与铁电场效应晶体管（FeFET）两条主流发展路径。结合产业界最新进展，罗庆研究员介绍了国际头部企业在高密度FeFET存储阵列、嵌入式FeRAM工艺集成等方面的关键布局与技术突破。同时，从学术研究角度出发，他总结了当前领域亟待解决的核心科学问题，主要包括铁电薄膜稳定性与尺寸效应、极化疲劳与保持特性、界面缺陷与电荷注入机制，以及器件一致性与大规模阵列集成等关键挑战。

讲座结束后，多位学院青年教师结合各自研究方向与罗庆研究员展开了深入交流与讨论，重点围绕铁电器件可靠性机理、存储窗口调控策略以及大规模阵列集成中的关键技术瓶颈等议题展开探讨。现场交流氛围热烈、讨论深入，为推动相关领域的持续创新与学科交叉融合提供了有益思路与重要启发。

撰稿：汪学沛    编辑：吴中慧   审核：张吉良